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日志

 
 

巨磁电阻效应  

2008-01-09 17:04:38|  分类: 网络学院 |  标签: |举报 |字号 订阅

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巨磁电阻效应(Giant Magneto Resistance,GMR)即物体在外加磁场作用下自身的电阻发生显著变化的现象,1986年德国科学家Grunberg小组、1988年法国科学家 Fert小组首先发现了巨磁电阻效应的存在。然而,巨磁电阻效应又与一般的磁电阻效应有着本质的区别:

由铁磁金属/非磁性金属/铁磁金属构成的多层纳米薄 膜(即巨磁电阻材料,如Fe/Cr),在有外加磁场和无外加磁场下电阻率的变化,在室温下为可达5%,在低温(42K)下可以达到110%,远远大于一般铁磁金属1%—3%的磁电阻变化。

由于其磁电阻效应如此明显,因此把这种只在磁性多层膜中才能发生的量子力学效应称为巨磁电阻效应。1994年,IBM首先将GMR应用在硬磁盘中,并在1995年宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头,创世界记录。 GMR对计算机存储领域带来了莫大的影响。

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